天合光能申请无铟异质结电池结构及其制备方法专利,提高无铟透明导电薄膜层导电能力_SOLARZOOM光储亿家
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天合光能申请无铟异质结电池结构及其制备方法专利,提高无铟透明导电薄膜层导电能力
  • 2024-07-15 13:44:41
  • 浏览:831
  • 来自:金融界

天眼查知识产权信息显示,天合光能股份有限公司申请一项名为“无铟异质结电池结构及其制备方法“,公开号 CN202410514695.9,申请日期为 2024 年 4 月。

专利摘要显示,本申请涉及一种无铟异质结电池结构及其制备方法,第一钝化层设置在第一基底表面,第二钝化层设置在第二基底表面,第一导电层设置在第一钝化层的外表面,第二导电层设置在第二钝化层的外表面,第一铟基透明导电薄膜层设置在第一导电层的外表面,第二铟基透明导电薄膜层设置在第二导电层的外表面,第一金属薄膜层设置在第一铟基透明导电薄膜层的外表面,第二金属薄膜层设置在第二铟基透明导电薄膜层的外表面,第一无铟透明导电薄膜层设置在第一金属薄膜层的外表面,第二无铟透明导电薄膜层设置在第二金属薄膜层的外表面。在无铟透明导电薄膜层和铟基透明导电薄膜层之间叠加金属薄膜层,提高了无铟透明导电薄膜层的导电能力,同时降低了成本。

【责任编辑:sunnyz】
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