先导稀材申请硅异质结太阳电池及其制备方法专利,有效提高硅异质结太阳电池性能_SOLARZOOM光储亿家
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先导稀材申请硅异质结太阳电池及其制备方法专利,有效提高硅异质结太阳电池性能
  • 2024-09-12 11:00:55
  • 浏览:645
  • 来自:金融界

  天眼查知识产权信息显示,广东先导稀材股份有限公司申请一项名为“一种硅异质结太阳电池及其制备方法“,公开号 CN202410770236.7,申请日期为 2024 年 6 月。

  

  专利摘要显示,本发明属于太阳电池制备技术领域,公开了一种硅异质结太阳电池及其制备方法,该硅异质结太阳电池,包括基底、在基底正面生长的第一薄膜层和在基底背面生长的第二薄膜层,所述第一薄膜层包括在基底正面依次生长的非晶硅薄膜、掺磷非晶硅薄膜、载流子浓度为 3?10e20cm?3 的第一 TCO 薄膜、载流子浓度为 1?2e20cm?3 的第二 TCO 薄膜、载流子浓度为 0.5?1e20cm?3 的第三 TCO 薄膜。本发明通过基底正面沉积的三层不同载流子浓度的第一 TCO 薄膜、第二 TCO 薄膜、第三 TCO 薄膜组成的 TCO 薄膜结构,可以有效满足 TCO 薄膜结构的透光性要求和电学传输性能要求,有效提高硅异质结太阳电池性能。

【责任编辑:sunnyz】
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