4月16日国家知识产权局信息显示，理想万里晖半导体设备（上海）股份有限公司申请一项名为“微晶硅氧膜层的制备方法、异质结太阳电池及其制备方法”的专利，公开号CN 119824397 A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本发明提供微晶硅氧膜层的制备方法。所述微晶硅氧膜层的制备方法首先将沉积有本征非晶硅的单晶硅片送入PECVD工艺腔；然后将所述PECVD工艺腔抽真空，且将其压力稳定在1‑10毫巴；接着将输入所述PECVD工艺腔的射频RF频率设定为高频以及甚高频两个频率，将所输入的高频功率设定为50‑2500瓦，将所输入的甚高频功率设定为2000‑10000瓦；之后将所述PECVD工艺腔的温度稳定在160‑230摄氏度；然后向所述PECVD工艺腔通入工艺气体，所述工艺气体包括SiH4、H2、PH3以及CO2，其中PH3与SiH的体积比为1％10％CO与SiH的体积比为20％‑100％；最后经预定沉积时间在所述单晶硅片的本征非晶硅表面沉积预定厚度的微晶硅氧膜层。本发明能有效提高微晶硅氧膜层的成膜质量并有效改善暗衰现象。

天眼查资料显示，理想万里晖半导体设备（上海）股份有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本23512.8795万人民币。通过天眼查大数据分析，理想万里晖半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目11次，财产线索方面有商标信息12条，专利信息122条，此外企业还拥有行政许可28个。