国家知识产权局信息显示，常州捷佳创精密机械公司申请一项名为“低衰减的异质结电池的制备方法”的专利，公开号CN119866069A，申请日期为2024年12月。

　　专利摘要显示，本发明公开了一种低衰减的异质结电池的制备方法，步骤有：将经过吸杂、清洗、制绒处理的硅片作为衬底；在衬底的背面镀钝化层；在该衬底的正面镀钝化层和N型掺杂层；在衬底背面的钝化层之上镀阻挡层；在阻挡层之上镀微晶P种子层；在微晶P种子层之上镀微晶P主体层；在衬底正面的N型掺杂层和背面的微晶P主体层之上分别镀透明导电薄膜；在衬底正面和背面的透明导电薄膜上分别进行丝网印刷，烘干和固化，制得所述电池。本发明设置的致密的“阻挡层”，可阻挡硼元素进入钝化层，提高电池Voc，降低电池衰减。通入适量的氧源气体，改善P掺杂层与钝化层的价带匹配，提高电池的FF。对微晶P主体层进行梯度掺杂，改善了与TCO的接触电阻。