据财联社消息，SK海力士表示，将投资384亿美元在韩国本土扩张芯片业务。其中，计划在龙仁投资35.2万亿韩元（约249亿美元）用于第二阶段芯片厂建设。龙仁工厂将生产HBM及其他下一代DRAM。

近期，存储芯片巨头相继公布“千亿美元级”的投资/合作计划。三星和SK海力士相继公布，未来五年将在韩国建设多座半导体工厂，并大幅提升国内存储芯片产能。美国美光科技也宣布，到2035年将在美国本土半导体生产和研发领域投入2500亿美元。

7月31日，日本存储芯片企业铠侠控股释放强烈信号：随着“智能体AI”快速发展，存储芯片需求仍处于起步阶段。与此同时，全球五大存储芯片企业，三星电子、SK海力士、美光科技、铠侠以及闪迪26Q2的自由现金流合计达到14.8万亿日元净流入，同比暴增92倍。

近年来，人工智能等新兴技术迅猛发展，显著拉动了对高带宽存储芯片（如HBM）和动态随机存取存储器（DRAM）的需求。以HBM为例，作为AI基础设施的核心组件，需求量呈指数级增长，直接挤占传统存储产能。全球范围内，DRAM和NAND闪存价格持续飙升。

据集邦咨询数据，26Q1通用型DRAM合约价环比增长93%-98%，Q2环比增长58%-63%；NAND合约价Q1环比增长55%-60%，Q2环比增长55%-60%。展望后市，AI服务器、智能体及数据中心的高速扩张，意味着数据处理量呈指数级增长。推动存储芯片进入供不应求的超级周期。SEMI中国总裁表示，2026年HBM市场规模预计增长58%至546亿美元，HBM产能缺口仍达50%至60%。瑞银认为DRAM供需紧张至少持续至2028年上半年。

具体到A股市场，存储芯片产业的黄金周期已至，市场前景广阔。半导体设备与存储芯片板块价值凸显，尤其在AI数据中心、智能汽车等高增长场景中，相关企业有望分享行业成长红利。可关注技术领先、产能充足的国内龙头公司。