通威太阳能申请半导体基板及其制备方法与太阳电池及其制备方法专利,改善电池因线痕处凹坑导致的空穴传输路径变长_SOLARZOOM光储亿家
设为首页收藏本站联系我们
| | | | | | | | |
通威太阳能申请半导体基板及其制备方法与太阳电池及其制备方法专利,改善电池因线痕处凹坑导致的空穴传输路径变长
  • 2026-11-09 10:22:14
  • 浏览:206 次
  • 来自:金融界

国家知识产权局信息显示,通威太阳能(眉山)有限公司申请一项名为“半导体基板及其制备方法与太阳电池及其制备方法”的专利,公开号CN123056492A,申请日期为2026年7月。

专利摘要显示,本公开提供了一种半导体基板及其制备方法与太阳电池及其制备方法,通过控制基板本体的第一表面中,在100μm×100μm范围内包含第一线痕结构的个数小于或等于5个,且沿垂直于第一表面的方向的第一线痕结构的深度小于或等于3μm,能够改善电池因线痕处凹坑导致的空穴传输路径变长、横向传输电阻增加及细栅印刷位置与线痕重叠接触性能较差等问题。

天眼查资料显示,通威太阳能(眉山)有限公司,成立于2019年,位于眉山市,是一家以从事电力、热力生产和供应业为主的企业。企业注册资本450000万人民币。通过天眼查大数据分析,通威太阳能(眉山)有限公司参与招投标项目241次,专利信息572条,此外企业还拥有行政许可447个。

【责任编辑:sunnyz】
投稿、咨询、爆料——电话:(021)50315221-812,邮箱:edit@solarzoom.com,QQ:2880163182
关键字阅读: 通威太阳能 太阳电池
0条评论
还没有人评论过,赶快抢沙发吧!

匿名发表

微信公众号:
Solarzoom光伏太阳能网
微博公众号:
SOLARZOOM光伏太阳能网
  • 一天
  • 一周
  • 一月
  • 每日资讯
  • 光伏杂志
  • 专题
  • 每日光伏市场参考
马上订阅
印度商工部反倾销局(DGAD)正式公告,将对中国大陆、台湾、马来西亚等地进口的太阳能电池展开反倾销调查。同时,欧盟对中国大陆的
联系我们:021-50315221 服务邮箱:10000@solarzoom.com