近期很多人都在做高方阻电池片，有一些已经到60~65左右的方阻。下面是本人在高方阻调试中有一些经验，可以跟大家分享，希望能够帮到大家。

　　1、高方阻的意义

说到高方阻的意义，大家应该都很懂:较低的表面杂质浓度，有效降低了表面的杂质复合中心，提高了表面少子的存活率，同时增加短波的响应，如此有效的增加了Isc和Uoc，达到提高效率的目的；

　　2、问题

但是与此同时表面薄层电阻明显增加，增大了Rs，降低了FF。要使最终的效率有所提高，就需要Uoc、Isc的提高大于FF的降低。

　　3、调整步骤

高方阻工艺的调试需要整个制程的相互配合。具体的动作如下：

　　（1）方阻调试

　　均匀性：影响均匀性的因素很多，设备需要注意温度、尾气负压、热排风；工艺需要注意预氧化层厚度、磷源与氧气比例等，这些需要进行DOE实验，均匀性需要极值差小于8

　　高方阻的扩散方案：降温是最直接的方式，但是你需要配合diffusion time和drive in time的调整，也需要DOE实验。

以上完成后需要进行原有制程工艺的试生产，需要看到Uoc、Isc明显提升后，才能说明高方阻的扩散工艺已经调试成功。

　　（2） PECVD调整

　　大家可能不明白，高方阻为什么需要PECVD调整？那就仔细往下看

　　表面钝化的改善：高方阻的目的就是降低表面复合，提高短波响应，如果表面钝化很糟糕，那Isc的损失会很明显。

反射光谱改善：高方阻是提高短波的响应，那就需要在一定的程度上减少短波的反射，需要PECVD的n和d的调整，也是DOE实验。

　　（3） 丝网印刷

　　前面进行试生产的目的就是需要确认丝网的改善方向。

　　如果效率有提高，那只需要调节烧结炉的工艺即可，一般是在原有的工艺基础上降低温度，因为浅结更容易烧穿；当然不排除提高带速增加温度的可能。

　　如果效率没有提高，或很少，那就需要变更正电极网版的设计，增加栅线、降低细栅线宽度（细线密栅原则），最好是在不增加遮光面积的前提下进行网版的设计，这是最理想的。而后进行DOE实验和烧结的调试。

最后就是产线的磨合，要一些时间。很多国外的企业一般都已经做到80~90的方阻了，国内一般为50~60，而我们正在冲刺80~85。

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