HJT 电池工艺步骤简化，TCO 薄膜沉积分 PVD/RPD 两种工艺。HJT电池工艺包括清洗制绒、非晶硅薄膜沉积、TCO 薄膜沉积以及丝网印刷四步，其中TCO薄膜沉积分 PVD/RPD 两种工艺。

　　PVD 磁控溅射工艺用被电磁场加速的高能粒子（Ar+）轰击靶材，靶材表面原子获得能量逸出，沉积在衬底表面形成氧化物薄膜。

　　RPD 工艺利用等离子体枪产生氧的等离子体，让其进入生长腔后，在磁场作用下轰击靶材，靶材温度升高后生化形成蒸汽实现薄膜沉积。

　　目前主流技术路线是用 PVD工艺，相较于PVD，RPD的效率和质量更高，但是受制于日本住友公司对设备和靶材的垄断，成本较高。

　　靶材是 TCO 薄膜沉积的关键，ITO 靶材为最佳选择。不论是 PVD 工艺还是RPD工艺，靶材都是必不可少的材料。目前市场化的靶材有 AZO 和 ITO 等。AZO材料价格较为经济，但其导电性较 ITO 相差较大，通过厚镀膜来弥补导电性将极度降低光的透过率，将 大幅降低电池特性。ITO靶材就是氧化铟和氧化锡粉末按一定比例混合后经过一系列的生 产工艺加工成型，再高温气氛烧结(1600度，通氧气烧结)形成的黑灰色陶瓷半导体，通过 调整氧化铟和氧化锡粉末的比例，可以提高 HJT 电池的转换效率。

　　ITO 靶材以进口为主，国产替代正当时。全球 ITO 靶材市场主要供应商有日本日矿、 三井矿业、康宁、优美科等，其垄断了全球 80%的中高端市场份额和 90%的全球晶圆制 造靶材市场份额。我国ITO靶材大量依赖进口，国产ITO靶材主要集中在中低端领域， 根据华经情报网数据，2020 年市场份额仅在 30%左右。经过多年发展，目前我国形成 了一批具备 ITO 靶材量产能力的企业，市场也开始逐渐导入国产靶材，靶材进口替代进 程有望不断推进。