浙江奥首材料科技取得多晶硅蚀刻相关专利,解决以往蚀刻过程中的难题_SOLARZOOM光储亿家
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浙江奥首材料科技取得多晶硅蚀刻相关专利,解决以往蚀刻过程中的难题
  • 2024-08-21 09:26:24
  • 浏览:4134
  • 来自:金融界

  天眼查知识产权信息显示,浙江奥首材料科技有限公司取得一项名为“一种异山梨醇基强碱性季铵碱,及包含其的多晶硅蚀刻液、其制备方法及应用“,授权公告号 CN118255779B,申请日期为 2024 年 5 月。

  

  专利摘要显示,本发明涉及一种异山梨醇基强碱性季铵碱,及包含其的多晶硅蚀刻液、其制备方法及应用。所述多晶硅蚀刻液,组分中包含异山梨醇基强碱性季铵碱,非离子表面活性剂和超纯水。本发明蚀刻液在多叠层蚀刻过程可保证多晶硅蚀刻均一性,与此同时在最佳蚀刻条件下,蚀刻液具有良好的使用寿命与稳定性,可在 3D 闪存芯片领域应用,用于解决以往蚀刻过程中底部多晶硅蚀刻深度与顶部不一致,蚀刻液浓度受温度影响变大问题。

【责任编辑:sunnyz】
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关键字阅读: 多晶硅蚀刻
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