国家知识产权局信息显示，天合光能股份有限公司申请一项名为“光伏电池制备方法、光伏电池”的专利，公开号CN 118748230 A，申请日期为2024年7月。

　　专利摘要显示，本申请提供一种光伏电池制备方法、光伏电池，光伏电池制备方法包括：提供基底；在基底的正面依次形成硼掺杂层、第二氧化隧穿层、第二本征非晶硅层和硼源层，在第一预定温度下通过硼源层和第二本征非晶硅层得到P型多晶硅层；之后对背面第一本征非晶硅层进行磷扩散，通过第一本征非晶硅层得到N型多晶硅层。其中，本申请的技术方案先使用一次LPCVD技术同时形成第一本征非晶硅层和第二本征非晶硅层，再通过使硼源层和第二本征非晶硅层在第一预定温度下形成P型多晶硅层，再对第一本征非晶硅层进行磷扩散以得到N型多晶硅层，形成P型多晶硅层和N型多晶硅层，且无需掩模板、含源浆料或是离子注入等方法，整体工艺步骤较为简便。