本文简单介绍了TOPCon电池常用流程以及新兴TPC电池技术介绍。

　　与双面P-PERC相比，基于LPCVD的TOPCon概念在n型硅衬底上显示出更高的电池生产成本，并且分布在所有相关的电池加工过程中：湿化学、扩散/退火、钝化和金属化工艺。

　　a） 扩散/退火过程中COO较高，主要与BBr3扩散过程吞吐量较低以及需要额外的pocl3扩散和高温退火步骤有关，

　　b ）a-Si沉积技术是钝化过程中主要的成本驱动因素之一。

　　c ）与银浆相关的工艺耗材成本显著较高，导致TOPCon电池金属化的COO较高。

　　d）对于基于LPCVD的TOPCon概念，LPCVD沉积显示了15%COO增加。与固有层相比，原位掺杂层的COO更高，主要是由于沉积速率的显著差异。然而，对于采用原位沉积LPCVD a- si /多晶硅层的工艺路线，我们确定了一种可能性将硼发射体的高温退火和氧化结合在一个步骤中，这使得这种方法在经济上比具有非原位LPCVD a- si /多晶硅层的工艺路线更具竞争力。

　　TOPCon

　　TPC