国家知识产权局信息显示，安徽乾景宇辰新能源有限公司申请一项名为“一种晶硅异质结太阳能电池非晶硅钝化层结构及其制备方法”的专利，公开号 CN 118841473 A，申请日期为2024年8月。

　　专利摘要显示，本发明公开了一种晶硅异质结太阳能电池非晶硅钝化层结构及其制备方法，所述非晶硅钝化层结构包括N型硅片，所述N型硅片正面由内向外依次设有：高氢稀释比沉积的i‑a‑Si:H薄膜，低氢稀释比沉积的i‑a‑Si:H薄膜，N型掺杂层，TCO导电膜和电极，所述N型硅片的背面由内向外依次设有：高氢稀释比沉积的i‑a‑Si:H薄膜，低氢稀释比沉积的i‑a‑Si:H薄膜，P型掺杂层，TCO导电膜和电极；所述高氢稀释比沉积时采用流量比6～8:1的H2和SiH4，所述低氢稀释比沉积时采用流量比4～5:1的H2和SiH4。本发明所述的晶硅异质结太阳能电池表现出优异的光伏性能，具有良好的应用前景。